Sau một thời gian phát triển, Samsung mới đây cho biết họ đã hoàn tất thế hệ chip nhớ 3 bit MLC NAND Flash dung lượng 128Gb, và đưa vào sản xuất hàng loạt ngay trong tháng 4 này.
Dòng chip nhớ này được sản xuất theo tiến trình 10nm, là thế hệ tiếp theo của NAND Flash 20nm 64Gb trước đây. Theo Samsung thì tốc độ của chip 3 bit 128Gb này sẽ đạt tốc độ 400Mbps nhờ ứng dụng băng thông của giao tiếp RAM DDR 2.0.
Với việc ứng dụng chip nhớ 128Gb mới, các đối tác của Samsung có thể sản xuất ra được những thẻ nhớ dung lượng lên đến 128GB và 256GB trong khi vẫn giữ được kích thước nhỏ gọn như cũ, đồng thời đảm bảo tốc độ truy xuất cao. Samsung cũng cho biết họ sẽ ứng dụng công nghệ chip nhớ mới này để cho ra đời các dòng ổ SSD dung lượng lớn hơn 256GB.
Hiện nay chúng ta đã có iPad dung lượng 128GB, hi vọng sắp tới các thiết bị di động cũng sẽ được nâng cấp dung lượng nhiều hơn nữa, nhằm đáp ứng nhu cầu lưu trữ ngày càng nhiều của người dùng.
Theo Tinhte
